Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/20.500.13087/3072
Title: Metal-yalıtkan-metal ve metal-yalıtkan-yarıiletken yapılar için ince yalıtkan tabakaların üretilmesi, karakterizasyonu ve uygulaması
Other Titles: Fabrication, characterization and application of thin insulator films for metal-insulator-metal and metal-insulator-semiconductor devices
Authors: Serincan, Uğur
Hüsam, Berker
Keywords: Fizik ve Fizik Mühendisliği
Physics and Physics Engineering
Issue Date: 2022
Publisher: Eskişehir Teknik Üniversitesi
Abstract: Yüksek frekans elektroniği ve GHz-THz bölgede enerji çevrimi uygulamalarında arkma (tünelleme) temelli aygıtlar önem arz eder. Arkma olasılığının yüksek olması için bu aygıtlardaki yalıtkan tabakaların kalınlıkları 10 nm altında üretilmek durumundadır; bu da yaygın kullanımlarına engel teşkil eden çeşitli sorunları beraberinde getirir. Çalışmada bu engellerin neler oldukları ve nasıl ölçülebilecekleri üzerine bilgi verilmiştir. Bu aygıtların işleyişinin anlaşılması için bir benzetim (simulasyon) hazırlanmıştır. Malzemenin özündeki ve aygıt yapısı içerisinde bulunmasından kaynaklı sorunlar açıklanmış; üretim kusurları ve aygıt davranışı incelenmiş; başarılı aygıtlardan GHz bölgede enerji çevrimi uygulaması hazırlanmıştır. Ark diyotun yaygın kullanımı için üretim sorunlarına çözüm önerileri belirtilirken, farklı bir aygıt düşüncesi de sunulmuştur.
In high frequency electronics and GHz-THz regime energy conversion applications, tunneling mechanism-based devices have high significance. To achieve high tunneling probability, insulating layers in these devices should be produced under 10 nm thicknesses; that, though, brings several obstacles whence prevent their widespread usage. In this work, information was given on what those problems are and how they ought to be measured. Simulation for understanding the mechanism of these devices was performed. Problems induced by material itself and its presence inside the structure of the device were explained; fabrication deficiencies and device characteristics were investigated; with efficient devices, energy harvesting application in GHz regime was prepared. While solutions were suggested on fabrication problems to widen the tunneling diode usage, a new device concept was presented.
URI: https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=CG8WvdvvxJP04Unr7Yecf3RPxhyn2ZCiWzo6S1PCsFRHJhgI34GnQG-l2PaDRmAz
https://hdl.handle.net/20.500.13087/3072
Appears in Collections:Tez Koleksiyonu

Show full item record

CORE Recommender

Google ScholarTM

Check


Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.